Тechno Мobile

Ново устройство, произведено по 20nm технологичен процес с 8 гигабайта памет предоставя най-високия капацитет в най-малкия формат за таблети, смартфони, SSDта и други потребителски и компютърни устройства 
 

- Intel и Micron предоставят най-малкия в индустрията, най-усъвършенстван NAND flash 20nm технологичен процес.

- IMFlash Technologies е лидер в индустрията с 20nm технологичен процес и бърз преход в цялата мрежа от фабрики

- С размери от само 118mm2,, MLC NAND устройството с капацитет от 8GB осигурява голям капацитет за смартфони, таблети, твърдотелни дискове и други.

Intel Corporation и Micron Technology Inc. днес представиха нов, по-фин 20 nm технологичен процес за производство на NAND флаш памет. По новия 20nm процес се произвежда multi-level cell (MLC) NAND флаш устройство с капацитет от 8 GB, което осигурява по-голям капацитет в малък формат за съхранение на музика, видео, книги и друга информация върху смартфони, таблети и компютърни решения като твърдотелни дискове (SSDs).

Нарастването  на обема за съхранението на данни, в комбинация с подобренията на характеристиките за таблети и смартфони, създава ново търсене за NAND флаш технолоията, особено за решения с по-голям капацитет в по-малък формат. Размерите на новото 20nm устройство с капацитет то 8GB са само 118 mm2, което води до намаляване на пространството, което заемат с от 30% до 40% (в зависимост от вида на пакета), в сравнение с настоящите 25nm 8GB NAND устройства на компанията. Намаляването на пространството за съхранение на данни върху флаш устройството осигурява по-високо ниво на ефективност на системата, като позволява на производителите на таблети и смартфони да използват допълнителното пространство за усъвършенстване на крайните продукти с например по-голяма батерия, по-широк екран,или добавяне на друг чип, който да оперира с нови характеристики.

Произведено от IM Flash Technologies (IMFT), съвместното дружество за NAND flash на Intel и Micron, новото 20nm NAND флаш устройство с капацитет 8GB е пробив в NAND производството и технологичния дизайн, като разширява лидерството на компанията в сферата на литографията. Намаляването на размера на NAND литографията до този технологичен пункт е най- ценовоефективния метод за увеличаване на продукцията на фабриката, като осигурява приблизително 50% повече GB капацитет от тези фабрики, в сравнение с работата по настоящата технология. Новият 20nm процес поддържа сходна производителност и издържливост като при предишното поколение, произведено по25nm NAND технология. 

“Близкото сътрудничество с клиентите е една от основните ценности на Micron и чрез тези усилия ние непрекъснато разкриваме завладяващи възможности за дизайн на крайни продукти за NAND флаш съхранение на данни,” каза Глен Хоук, вицепрезидент Micron NAND Solutions Group. “Нашите възможности иновации и растеж продължават с 20nm NAND процес, който дава възможност на Micron да предоставя за своите клиенти ценовоефективни твърдотелни решения с добавена стойност за съхранение на данни.”

“Нашата цел е да направим достъпа до информацията по света незабавен и удобен,” каза Том Рампоне, вицепрезидент и генерален директор, Intel Non-Volatile Memory Solutions Group. “Водещата в индустрията NAND технология дава възможност на Intel да осигурява на своите клиенти най-високо качество и най-ефективни ценови решения поколение след поколение. Съвместното дружество на Intel и Micron е модел за производствената индустрия, тъй като ние продължаваме да сме лидери в технологичния процес и да осъществяваме бързи преходи на цялата наша мрежа от фабрики към все по-малък размер на литографията.”

Мостри  на устройството по 20nm, 8GB се изпращат сега на клиенти, като се очаква да влезе в масово производство през втората половина на 2011 г. По същото време Intel и Micron очакват да обявят мостра на устройство с 16GB капацитет, което създава капацитет от 28GBs в единично твърдотелно решение с размер по-малък оттози на пощенска марка.